红核洗液的冲洗姿势:微星主板怎么超频啊

1、HT一定要设置在800，
2、AGP频率设置在66或75，
3、如果是AMD 64 CPU(包括754的闪龙)，由于内存控制器在CPU内，超频时内存频率会与CPU同步，如果内存条不是DDR500的，超频到250MHz，很难成功，DDR400的超频到240MHz是很轻松的，而且此时的性能最佳。如果把内存先降到333，然后超250MHz，也可能成功，但是性能提高不大。不如完全同步。
再加二条：
4、K8T800(K8TNeo)由于是同步总线架构，AGP/PCI频率不能锁定，只能超220MHz。
K8T800 Pro(K8TNeo2)采用异步总线架构，可以设置和锁定AGP/PCI频率。所以可超频，而且超频后，超240就可以，用测试软件测试，性能优于nForce3。
5、适当提高CPU、内存电压，可以超到245（DDR400），但是性能没有明显比240高。所以我觉得在DDR400的内存条下，240是最佳的超频点。

K8T Neo2主板内存配置
K8T Neo2主板采用K8T800Pro北桥+VT8237南桥。支持 64-bit AMD® Athlon 64 and Athlon 64 FX 处理器 (Socket 939)，内存控制器集成在处理器内，因此，先介绍一点AMD64内存控制器。
一、AMD64内存控制器简洁
AMD64处理器速度的提高面临内存延迟增加的问题。与CPU速度无法匹配的内存延迟将拖慢整个系统。内存运行的慢了，那么及时向处理器提供足够的代码和数据就会更加困难。AMD64处理器降低延迟的办法就是在CPU核心内建DDR内存控制器，AMD认为这个改进使得AMD64处理器相对于Athlon而言在性能上可以提高到20％。这个内存控制器通过缩短内存通讯距离降低内存延迟。
在通常的CPU+北桥组合中，内存通讯都需要经过北桥芯片，也就是CPU‹—›北桥‹—›内存。AMD64将北桥芯片拿走，让CPU和内存直接通讯。这样CPU就可以更快的访问内存，内存中的数据也可以更快进入CPU。
内存控制器在CPU上，这样对CPU的频率提高也有好处。AMD64的频率提高，内存控制器的频率也相应提高。这样的设计可以进一步降低AMD64系统的绝对内存延迟，内存的相对延迟也会随着频率的提高而变小。
CPU带内存控制器的另一个好处就是增加处理器速度后，内存带宽也会相应增加。在AMD64系统中，每个处理器都有独立的内存Bank，不需要在共享内存中互相争夺，也不会使用同一个总线通道或是同一颗北桥芯片。
不过这样的机制也有一个问题，可能一个处理器需要的数据在另一个处理器的专属内存中。AMD为此设计了HyperTransport（HT）连接，数据可以通过HT连接传递给需要的处理器。这里CPU就完成了类似北桥的功能。

二、K8T Neo2主板内存槽
K8T Neo2主板有4个内存槽，双通道，每个通道用两个槽。为便于区别，A通道是绿色槽，B通道是紫色槽。与常规排列不同的是从右向左排序，里CPU座最远的是第一槽。
这四个内存槽插入内存条的组合方式如下图，图的下半部“微星提醒您”的4条一定要看一看。
适用的内存组合模式如下：
三、BIOS里有关内存的设置
内存设置在Cell Menu内，设置选项是DRAM Configuration。
[UploadFile=3_1111015883.jpg]
按回车键即可进入设置菜单：
[UploadFile=4_1111015930.jpg]
DRAM Clock Mode（DRAM时钟模式）该项用于选择内存频率是采用内存条SPD设置，还是采用手动设置，所以有两个选项：By SPD、Manual。

Memclock Value（内存频率设置）当DRAM Clock Mode设置为Manual此项才变亮，用户可以设置内存的工作频率。设置值为：DDR200、DDR266、DDR300、DDR333、DDR400。

CAS# Latency（CAS#延迟）该项控制SDRAM在接收读数据指令到开始读取之前的延迟时间设置时以时钟周期（T）为单位。可设定值为2、2.5、3（T）。这个参数与内存的速度相关，例如，CL=3的DDR400，当CL=2.5时，速度就是DDR333。如果在DDR400情况下设置CL=2.5，就等于对内存超频，设置后是否稳定，就要看内存条的品质了。

Burst Length（暴发模式长度）暴发模式是一种让DRAM在读取第一个地址后预测下一个地址的技术，要使用这项功能必须先决定暴发模式的长度，一般可设置为4、8。实际执行时就是第一个地址加上暴发长度就是下一个地址。暴发长度越大系统性能越快。

Bank Interleaving（内存体交错）这里的内存体（Bank）是指逻辑内存体（L-Bank），每个内存芯片有4个L-Bank，组成内存条后，整个内存条也就是4个L-Bank，读写内存是以L-Bank为基本单位读写的，不是一个一个芯片的读写。这个选项就是设置内存读写是以2-bank，还是4-bank交错读写。对于一些16Mb芯片的内存条需要关闭此项功能。设定值为：自动（Auto）、关闭（Disabled）。一般设置为Auto。

Active to CMD（Trcd）这项的含义是设定DRAM读写和刷新时行地址（CAS）和列地址（RAS）之间的延迟时间（以时钟周期为单位）。周期越少，性能相对提高。可以设定的值是：SPD、2 CLK、3 CLK、4 CLK、5 CLK、6 CLK。当然也要取决于内存条的品质和其它参数，设置的太小，会导致系统不稳定或死机蓝屏。一般设置为SPD。

Active to Precharge（Tras）这项是设定内存激活（RAS读）到预充电（写）的延迟时间。设定值有： SPD、5CLK、6 CLK、7 CLK、8 CLK、9 CLK、10 CLK、11 CLK、12 CLK、13CLK、14 CLK、15 CLK。一般设置在SPD。

Precharge to Active（Trp）这项设置按列寻址（RAS）预充电时间。这个时间的长短很重要，如果时间短，没有足够的时间让RAS在DRAM更新之前预充电，更新可能不完全，而丢失数据。设定值为SPD、2 CLK、3 CLK、4 CLK、5 CLK、6CLK。一般设置在SPD。

DRAM 1T Timing这个选项用来开启内存控制信号以1个时钟周期（1T）的速率运行。1T要比2T快，但是会导致系统不稳定。设定值为：Enabled、Disabled。

四、设置建议：
Memclock Value（内存频率设置）在采用内存异步时可用来降低频率。比如DDR400的降低为DDR333。
CAS# Latency（CAS#延迟）可以适当降低，比如2.5的降为3。
其余保持默认值即可。

五、两条DDR400 512MB CL=3的内存条：
Infineon HYS64D64320GU-5-C 双面 DDR400 512MB CL=3 一条
Kingston KVR400X64C3A/512 双面 DDR400 512MB CL=3 一条
插在2、4槽，CPU-Z检测的结果：

虽然是两条不同品牌的内存，因为时序相同，可以工作在200MHz（DDR400）。

六、四条V-DATA DDR400 256MB CL=2.5 单面，插在1、2、3、4槽，CPU-Z检测结果：
四条单面256MB，DDR400 CL=2.5的内存条，插满4个内存槽，可以跑200MHz（DDR400）。

七、两条CAS# 时序不同的内存条做双通道的结果：
Infineon HYS64D64320GU-5-C 双面 DDR400 512MB CL=3 一条
V-DATA MDGVD5F3H4710D8E02 双面 DDR400 512MB CL=2.5 一条