高考问答lg 4k显示器拆机:pn结反向饱和电流到底是怎么形成的,它的大小跟哪些因素有关?
来源：百度文库 编辑：高考问答 时间：2024/04/28 08:33:13
这个我知道的,昨天在书上又看到,这个反向饱和电流还跟V[D]有关（中括号内为下标），又有书上说，跟温度有很大关系！
我想知道它与V[D]有关的一些资料，还有，其中的”饱和”有什么含义？
我想知道它与V[D]有关的一些资料，还有，其中的”饱和”有什么含义？
跟Vd有关是因为随着反向电压的增大，势垒抬高，耗尽层变宽，所以被反向抽走的电子和空穴就会增加，所以反向饱和电流会随着反向电压的增大稍稍增大一定。但是对于硅pn结，反向饱和电流一般在10e-14A～10e-10A,一般都很小，即使有所增大也不会达到质的变化。所以可称为饱和，饱和的含义就是再怎么增大电压，电流增大的不多的意思。
当然和温度有关，因为所有的半导体的性质都和温度有关，这个就不必说了，呵呵。
具体的公式和详细的解释可以参考《半导体物理》和《晶体管原理》等书。
P型半导体中的少数载流子（电子）和N型半导体中的少数载流子（空穴），在反向电压作用下很容易通过PN结， 形成反向饱和电流。但由于少数载流子的数目很少， 所以反向电流是很小的，