高考问答西部世界第一季剧情:求救啊！！！内存兼容问题
来源：百度文库 编辑：高考问答 时间：2024/04/29 12:17:50
本人是联想品牌锋行6060A,原本是DDR400 256M,现在觉得不够用,去买了KINGSTON DDR400 512M,回家把它插上另一条通道。遗憾的是内存总值为512M，原本应为768嘛，呜。。。检测结果如下： 内存模块属性:
模块名称 Kingston K
序列号 732E76C8h
生产日期 21 周 / 2006
模块大小 512 MB (1 rows, 4 banks)
模块类型 未缓冲
内存类型 DDR SDRAM
内存速度 PC3200 (200 MHz)
模块宽度 64 位
模块电压 SSTL 2.5
错误检测方法 无
刷新率 简化 (7.8 us), Self-Refresh
最高 CAS 潜伏期 3.0 (5.0 ns @ 200 MHz)
次高 CAS 潜伏期 2.5 (6.0 ns @ 166 MHz)
内存模块特征:
预先 RAS# 预加电 不支持
自动预加电 不支持
全部预加电 不支持
写入1/读取突发 不支持
缓冲的 地址/控制 输入 不支持
已注册的地址/控制输入 不支持
在卡 PLL (时钟) 不支持
缓冲的 DQMB 输入 不支持
已注册的 DQMB 输入 不支持
差分时钟输入 已支持
冗余行地址 不支持
顺便问我这是单面还是双面啊!
楼上,是什么原因啊,我检测了发现两条Support CAS Latency的数据不太一样,一条是2.0(...133.3MHZ....)另一条是2.5(....166.6MHZ...),是频率不对么?我不懂专业术语,就请大哥们帮忙!顺便问我DDR400 512M的内存是单面还是双面啊! (1 rows, 4 banks)这是啥意思?如果我再买一条同样的512还会出现不兼容么?
模块名称 Kingston K
序列号 732E76C8h
生产日期 21 周 / 2006
模块大小 512 MB (1 rows, 4 banks)
模块类型 未缓冲
内存类型 DDR SDRAM
内存速度 PC3200 (200 MHz)
模块宽度 64 位
模块电压 SSTL 2.5
错误检测方法 无
刷新率 简化 (7.8 us), Self-Refresh
最高 CAS 潜伏期 3.0 (5.0 ns @ 200 MHz)
次高 CAS 潜伏期 2.5 (6.0 ns @ 166 MHz)
内存模块特征:
预先 RAS# 预加电 不支持
自动预加电 不支持
全部预加电 不支持
写入1/读取突发 不支持
缓冲的 地址/控制 输入 不支持
已注册的地址/控制输入 不支持
在卡 PLL (时钟) 不支持
缓冲的 DQMB 输入 不支持
已注册的 DQMB 输入 不支持
差分时钟输入 已支持
冗余行地址 不支持
顺便问我这是单面还是双面啊!
楼上,是什么原因啊,我检测了发现两条Support CAS Latency的数据不太一样,一条是2.0(...133.3MHZ....)另一条是2.5(....166.6MHZ...),是频率不对么?我不懂专业术语,就请大哥们帮忙!顺便问我DDR400 512M的内存是单面还是双面啊! (1 rows, 4 banks)这是啥意思?如果我再买一条同样的512还会出现不兼容么?
哈哈，终于看见这样的问题了。竟然还有人这样尝试哦。512和256怎么兼容呢？要不就两条512，要不就两条256，不过一条512也差不多了，并不是什么都是越大越好的。要看你的其他配置。至于内存兼容，它的颗粒就是现代和三星几个厂商，所以一般都是兼容的。
216和512的本来就不兼容的!你只能买个256的还要是同一个牌子和型号的兼容性才是最强的,建议你就插个512DDR只要不玩特猛的游戏,那一般性能是满强的