城管coc免费辅助:内存上的CL2.5是什么

内存CL与性能的关系

此外，大家在购买品牌内存时如果留意，就会发现包装或标贴上会标有“CL=2.5或CL=2.0”诸如此类的标志（图2）。虽说是同一种类型的内存如DDR400，但由于上面标志CL的数值不同，因而价格也会不同，这是为什么呢?

标志上面的CL英文全称为CAS Latency，为CAS的延迟时间。带宽表示的是数据传输能力，在各种内存中，在数据被真正传输前，传送方必须花费一定时间去等待传输请求的响应，这种等待就是一种延迟，在这里的专门术语就叫做“Latency”。而CAS Latency就是指的是CPU在接到读取某列内存地址上数据的指令后，到实际开始读出数据所需的等待时间。内存内部的存储单元按照行和列排成一个矩阵，内存访问地址被解码成行和列两个信号。为了要读出或写入某笔数据，内存控制芯片会先传送列的地址，接下来RAS信号就会被激活。然而，在存取行的数据前，还需要几个执行周期才行，这就是所谓的RAS-to-CAS延迟时间。同样地，在CAS信号被执行后，也同样需要几个周期。使用标准PC133的SDRAM大约是2到3个周期；而DDR RAM则是4到5个周期。在DDR中，真正的CAS延迟时间则是2到2.5个执行周期。RAS-to-CAS的时间则视技术而定，大约是5到7个周期，这也是延迟的基本因素。

可以说与CL=2.5（DDR）或CL3（SDRAM）比起来，CL=2内存更具优势?这个优势可以通过总延迟时间的对比看出来。总延迟时间=系统时钟周期×CL模式数+存取时间（tAC）。比如某DDR333内存的存取时间为6ns，当我们将设定CL模式数为2.5（即CAS Latency=2.5），则总延迟时间=6ns×2.5+6ns=21ns，而当将CL设为2的时候，总延迟时间=6ns×2+6ns=18ns，足足减少了3个执行周期；如果你的DDR266内存是采用默认143MHz的7ns芯片，当CL=2时，则其总延迟时间=7ns?系统时钟周期?×2+7ns=21ns。因此对于一款性能超群的DDR266内存来说，其性能可以达到DDR333的水准，这也就是为什么超频玩家喜欢选择CL值较低内存的原因。在这里也建议你在买内存的时候，如果CL=2的内存价格只比其它的高一点，那你最好买CL=2的产品（不过你要记住不同速度的内存混在一起时，最慢的内存就会成为性能瓶颈。举例来说，如果你插上1条CL=2的内存以及一条CL=2.5的内存，那两条内存都会以CL=2.5的设置来执行）。此外，目前各内存颗粒厂商除了从提高内存时钟频率来提高DDR的性能之外，已经考虑通过更进一步的降低CAS延迟时间来提高内存性能，这在DDR上是可行的，预计CL=1.5会是下一个发展的目标。

不过，并不是说CL值越低性能就越好，因为其它的因素会影响这个数据。例如，新一代处理器的高速缓存较有效率，这表示处理器比较少地直接从内存读取数据。再者，列的数据会比较常被存取，所以RAS-to-CAS的发生几率也大，读取的时间也会增多。最后，有时会发生同时读取大量数据的情形，在这种情形下，相邻的内存数据会一次被读取出来，CAS延迟时间只会发生一次。此外，也许有一些朋友会注意到，当把DDR内存的CL从标准的2.5设置到2工作模式下的时候，反而系统的性能还没有默认的CL= 2.5好了，这是什么原因呢?这是因为内存的品质不太好，不能稳定地工作在CL=2这种模式下，在此模式下会出现在存取数据的时候数据常常被“丢失”的情况（即数据读取命中率降低）。不能取得数据，当然就只能重新读取，这样就浪费掉了很多时间，从而造成系统效率低。

附注：在内存条上的SPD芯片中已经包含有CL相关信息。当启动电脑时，BIOS会检查此项内容，并且以内存标称的CL模式运行。

DDR/CL2.5
CL2.5是显卡的响应周期,这个是越短越好.越短速度越快
杂牌内存,这个周期是3,好的内存 都是2.5.

在PIIICPU的SD内存时代那时好的内存的响应周期是2.一般的是3